SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor Singoli FET MOSFET

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Confezione: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato della parte: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 4A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 44W (Tc)
Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268
Confezione / Custodia: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numero di prodotto di base: SCT2H12