SI7810DN-T1-E3 Vishay Siliconix Singoli FET MOSFET

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Confezione: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato della parte: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 3.4A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8
Confezione / Custodia: PowerPAK® 1212-8
Numero di prodotto di base: SI7810