TQM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Singoli FET MOSFET

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFNU (5x6)
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base: TQM110