FQD30N06TM onsemi Singoli FET MOSFET

Produttore: onsemi
Serie: QFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 22.7A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base: FQD30N06