FQD5P10TM onsemi Singoli FET MOSFET

Produttore: onsemi
Serie: QFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 3.6A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base: FQD5P10