IPD60R600E6ATMA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??E6
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 7.3A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 63W (Tc)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO252-3
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base: IPD60R