IRLL014NTRPBF Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223
Confezione / Custodia: TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base: IRLL014