IQE006NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??5
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: IPAK (TO-251AA)
Confezione / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base: IQE006