SISS70DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Singoli FET MOSFET

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 125 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 8.5A (Ta), 31A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 535 pF @ 62.5 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S
Confezione / Custodia: PowerPAK® 1212-8S
Numero di prodotto di base: SISS70