XP6NA1R7CMT YAGEO XSEMI Singoli FET MOSFET

Produttore: YAGEO XSEMI
Serie: XP6NA1R7C
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PMPAK® 5 x 6
Confezione / Custodia: 8-PowerLDFN