GPIHV7DK GaNPower Singoli FET MOSFET

Produttore: GaNPower
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 7A
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 3.5mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 6 V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 90 pF @ 700 V
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount