SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Singoli FET MOSFET

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8
Confezione / Custodia: PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base: SIRS5100