G800N06H Goford Semiconductor Singoli FET MOSFET

Produttore: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 3A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 457 pF @ 30 V
Caratteristica FET: Standard
Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223
Confezione / Custodia: TO-261-4, TO-261AA