IPB011N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: StrongIRFET??
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3
Confezione / Custodia: -
Numero di prodotto di base: IPB011