SCT4026DEC11 Rohm Semiconductor Singoli FET MOSFET

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 750 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 56A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 176W
Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247N
Confezione / Custodia: TO-247-3
Numero di prodotto di base: SCT4026