Produttore: Microchip Technology
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 25A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 750µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 20 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 785 pF @ 700 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 91W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263-7
Confezione / Custodia: -
Numero di prodotto di base: MSC090