IPDQ60R022S7XTMA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??S7
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 24A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 416W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-22-1
Confezione / Custodia: 22-PowerBSOP Module
Numero di prodotto di base: IPDQ60R