IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolSIC??M1
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 24A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-7-12
Confezione / Custodia: -
Numero di prodotto di base: IMBG65R