IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??3
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HSOG-8-1
Confezione / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing
Numero di prodotto di base: IPTG111N