SQS660CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix Singoli FET MOSFET

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 18A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8W
Confezione / Custodia: PowerPAK® 1212-8W