RF1S22N10SM Harris Corporation Singoli FET MOSFET

Produttore: Harris Corporation
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 22A
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): -
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Confezione / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB