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BSO203SPNT Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

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descrizione delle tue esigenze

Produttore: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS®
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 9A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.35W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-DSO-8
Confezione / Custodia: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)

Datasheet

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