TSM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Singoli FET MOSFET

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 24A (Ta), 161A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDFN (5.2x5.75)
Confezione / Custodia: 8-PowerLDFN
Numero di prodotto di base: TSM025