SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage Singoli FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.8A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 331 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: UFM
Confezione / Custodia: 3-SMD, Flat Leads
Numero di prodotto di base: SSM3J114