SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Singoli FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIV
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.5A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F
Confezione / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads
Numero di prodotto di base: SSM3K318