SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Singoli FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVII
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 10A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFNB (2x2)
Confezione / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base: SSM6J512