SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Singoli FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: ?-MOSVI
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 100mA (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Vgs (Max): ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: USM
Confezione / Custodia: SC-70, SOT-323
Numero di prodotto di base: SSM3K16