TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Singoli FET MOSFET

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVIII-H
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 45A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Confezione / Custodia: 8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base: TPN2R703