menù

TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Singoli FET MOSFET

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
disponibile:
modello: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
richiedi un preventivo

descrizione delle tue esigenze

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIX-H
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 87A (Ta), 49A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 81W (Tc)
Temperatura di esercizio: 175°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5)
Confezione / Custodia: 8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base: TPH6R004

Datasheet

Annulla Sottoscrivi
Pubblica recensione
Pubblica prima recensione
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}