STB100NH02LT4 STMicroelectronics Singoli FET MOSFET

Produttore: STMicroelectronics
Serie: STripFET??III
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 24 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 60A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Confezione / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base: STB100N