STI33N65M2 STMicroelectronics Singoli FET MOSFET

Produttore: STMicroelectronics
Serie: MDmesh??M2
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 24A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK
Confezione / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Numero di prodotto di base: STI33