SCTWA50N120 STMicroelectronics Singoli FET MOSFET

Produttore: STMicroelectronics
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 65A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 318W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: HiP247??