2SK1317-E Renesas Electronics Corporation Singoli FET MOSFET

Produttore: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.5A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P
Confezione / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base: 2SK1317