N0413N-ZK-E1-AY Renesas Electronics Corporation Singoli FET MOSFET

Produttore: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 100A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 119W (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak)
Confezione / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base: N0413N-ZK-E1