FQT13N06LTF onsemi Singoli FET MOSFET

Produttore: onsemi
Serie: QFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.8A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-4
Confezione / Custodia: TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base: FQT13N06