Produttore: onsemi
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2250 pF @ 12 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK
Confezione / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base: NTD78
