NTHD4P02FT1G onsemi Singoli FET MOSFET

Produttore: onsemi
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.2A (Tj)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Caratteristica FET: Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Tj)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET??