FCMT199N60 onsemi Singoli FET MOSFET

Produttore: onsemi
Serie: SuperFET® II
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 20.2A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2950 pF @ 100 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 208W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: Power88
Confezione / Custodia: 4-PowerTSFN
Numero di prodotto di base: FCMT199