BSS192,135 Nexperia USA Inc. Singoli FET MOSFET

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 240 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 200mA (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89
Confezione / Custodia: TO-243AA
Numero di prodotto di base: BSS192