IXTP6N100D2 IXYS Singoli FET MOSFET

Produttore: IXYS
Serie: Depletion
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 6A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Caratteristica FET: Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3
Confezione / Custodia: TO-220-3
Numero di prodotto di base: IXTP6