IXFN360N10T IXYS Singoli FET MOSFET

Produttore: IXYS
Serie: HiPerFET?? Trench
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 360A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 830W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
Confezione / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base: IXFN360