IXTH1N170DHV IXYS Singoli FET MOSFET

Produttore: IXYS
Serie: Depletion
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1A (Tj)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
Caratteristica FET: Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max): 290W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247HV
Confezione / Custodia: TO-247-3 Variant
Numero di prodotto di base: IXTH1