IXTN102N65X2 IXYS Singoli FET MOSFET

Produttore: IXYS
Serie: Ultra X2
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 76A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 595AW (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227
Confezione / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base: IXTN102