RSQ020N03HZGTR Rohm Semiconductor Singoli FET MOSFET

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 950mW (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Grado: Automotive
Qualificazione: AEC-Q101
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95)
Confezione / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base: RSQ020