RJK0703DPP-A0#T2 Renesas Electronics Corporation Singoli FET MOSFET

Produttore: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 75 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 70A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 25W (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220ABA
Confezione / Custodia: TO-220-3
Numero di prodotto di base: RJK0703