FQB6N50TM Fairchild Semiconductor Singoli FET MOSFET

Produttore: Fairchild Semiconductor
Serie: QFET®
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 5.5A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK (TO-263)
Confezione / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB