IRF6646TRPBF Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET??MN
Confezione / Custodia: DirectFET??Isometric MN
Numero di prodotto di base: IRF6646