Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET??MX
Confezione / Custodia: DirectFET??Isometric MX
Numero di prodotto di base: IRF9383
