IRF6618TRPBF Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET??MT
Confezione / Custodia: DirectFET??Isometric MT
Numero di prodotto di base: IRF6618