IPS60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies Singoli FET MOSFET

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CE
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 5A (Tj)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 49W (Tc)
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO251-3
Confezione / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base: IPS60R1